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项目介绍动态二次离子质谱技术（DSIMS）是一门广泛应用于固体材料成分分析的表面分析技术。使用聚焦的具有一定能量和入射角度的一次离子束来轰击测试样品表面，通过收集和分析轰击过程中产生的二次离子信号，这样可以得到测试样品的化学组成成分。这个轰击过程可以很缓慢，从而其深度分辨率可以达到1-2nA。现阶段DSIMS的定量分析需要通过测试标样来完成，尽管如此其仍然是当前最灵敏的表面分析技术——不同的元素检测极限可以达到ppm-ppb。
由于D-SIMS的离子源为高密度离子東(原子剂量>1012ions/cm2),对样品的溅射作用大，故是一种破坏性分析。
相比TOF-SIMS，D-SIMS有更强的深度分析能力，分析深度能达到5-10um，且剖析过程中可以连续测试元素信息；深度分辨率和检出限比TOF高很多，分析面积100,200,300um见方居多，面积越大溅射速率越慢。
样品要求
以固态薄层、表面平整材料为主，比如衬底或者薄膜。粉末、已封装或者有结构之类的特殊样品需要进行适当制备。
1、尺寸要求：5-10mm之间，厚度不超过1mm，真空保存，标记清楚测试面；
2、分析面积100,200,300um见方居多，面积越大溅射速率越慢；
3、测试厚度一般在5um之内，但不超过10um；
4、部分样品可以定量分析（比如，常见的硅中各种掺杂 B, P,As等；各类化合物半导体及其多层结构等），取决于是否有合适的标准样品。
结果展示
采用一次离子源Cs在加速5kV束流为100nA的条件下，分析GaAs中注入的H，C，O元素。可以看到H检测限值7.1X1016 atm/cm3，O检测限值4.4X1015 atm/cm3，C检测限值2.0X1015 atm/cm3。
常见问题-
D-Sims测试有几种模式？分别都是什么？
一般有两种模式：体浓度Bulk和深度测试Profile
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D-SIMS测试和TOF-SIMS测试有什么区别？
飞行时间-二次离子质谱仪（TOF-SIMS），是一种非常灵敏的表面分析技术。它利用一次离子激发样品表面微量的二次离子，根据二次离子飞行到探测器的时间不同来测定离子质量。由于TOF-SIMS中离子飞行时间只依赖于它们的质量，故其一次脉冲就可得到一个全谱，离子利用率很高，能实现对样品几乎无损的静态分析。TOF-SIMS具有检测极限极低、分辨率极高等优点，能实现在2-3个原子层对样品进行检测并给出二维和三维图像信息。目前TOF-SIMS主要用于有机样品的表面分析，如生物药品的有机物分析、半导体材料的污染分析、储能材料分析及有机分子碎片鉴定等。
动态-二次离子质谱（D-SIMS）用气体等离子源轰击样品,使样品表面原子、分子或离子等溅射出来，用质量分析器接收溅射出的二次离子，通过分析其质荷比（m/z)获得二次离子质谱。由于D-SIMS的离子源为高密度离子束（原子剂量>1012 ions/cm2），对样品的溅射作用大，故是一种破坏性分析。此外，D-SIMS一般要求样品导电性要好，主要用于无机样品沿纵向方向的浓度剖析和进行痕量杂质鉴定如地质研究、同位素定量分析、半导体掺杂的深度分析等。
